參數(shù)資料
型號： μPD431009
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài))
中文描述： 100萬位的CMOS高速靜態(tài)RAM（100萬位的CMOS快速靜態(tài)）
文件頁數(shù)： 4/14頁
文件大小： 88K
代理商： ΜPD431009
4
μ
PD431009
Note
–3.0 V (MIN.) (Pulse width: 10 ns)
Note
–3.0 V (MIN.) (Pulse width: 10 ns)
Operating supply current
I
CC
mA
CS = V
IL
,
I
I/O
= 0 mA
Standby supply current
I
SB1
10
Remark
V
IN
: Input voltage
Remark 1.
V
IN
: Input voltage
2.
These parameters are periodically sampled and not 100 % tested.
Output leakage current
I
LO
–2
+2
μ
A
Electrical Specifications
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Supply voltage
V
CC
–
0.5
Note
to +7.0
V
Input/Output voltage
V
T
–
0.5
Note
to V
CC
+0.5
V
Operating temperature
T
opt
0 to +70
°
C
Storage temperature
T
stg
–
55 to +125
°
C
Recommended Operating Conditions
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX .
Unit
Supply voltage
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
High level input voltage
V
IH
2.2
V
CC
+0.5
V
Low level input voltage
V
IL
–
0.5
Note
+0.8
V
Ambient temperature
T
a
0
+70
°
C
DC Characteristics (Recommended operating conditions unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX .
Unit
Input leakage current
I
LI
V
IN
= 0 V to V
CC
–2
+2
μ
A
V
I/O
= 0 V to V
CC
, CS = V
IH
or OE= V
IH
or
WE = V
IL
Cycle time: 15 ns
160
Cycle time: 17 ns
150
Cycle time: 20 ns
140
Cycle time: 50 ns
120
I
SB
CS = V
IH
, V
IN
= V
IH
or V
IL
30
V
CC
– 0.2 V CS,
V
IN
0.2 V or V
CC
– 0.2 V V
IN
mA
High level output voltage
V
OH
I
OH
= –4.0 mA
2.4
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= 8 mA
0.4
V
Capacitance (T
a
= +25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN.
TYP.
MAX .
Unit
Input capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
6
pF
Input/Output capacitance
C
I/O
V
I/O
= 0 V
8
pF
相關PDF資料
PDF描述
μPD431232AL 1M CMOS synchronous Fast static RAM(1M 位CMOS 同步快速靜態(tài)RAM)
μPD431532L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態(tài)RAM)
μPD431536L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast Static RAM(1M CMOS 同步快速靜態(tài)RAM)
μPD431632L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步靜態(tài)RAM)
μPD43256B-X 256K-Bit CMOS Static RAM(256K CMOS 靜態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PD43-103M 功能描述:固定電感器 10uH 20% .182ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD431207 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1200V 700A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結構:串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
PD43-123M 功能描述:固定電感器 12uH 20% .21ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
PD431407 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 1400V 700A RoHS:是 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結構:串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
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