參數(shù)資料
型號(hào): μPD42S65805
廠商: NEC Corp.
英文描述: 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 8388608字8位的CMOS(6400動(dòng)態(tài)RAM動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)
文件頁(yè)數(shù): 24/36頁(yè)
文件大小: 226K
代理商: ΜPD42S65805
μ
PD4264805, 42S65805, 4265805
24
Hyper Page Mode (EDO) Late Write Cycle
CAS
V
IH–
V
IL–
t
CPN
t
CP
t
CP
t
CSH
t
HCAS
t
RCD
RAS
V
IH–
V
IL–
t
RASP
t
RP
t
CRP
t
HPC
t
RSH
t
HCAS
t
RHCP
t
HCAS
Row
Col.
t
ASR
t
RAH
t
RAD
t
ASC
t
CAH
t
ASC
Col.
t
CAH
t
ASC
Col.
t
CAH
t
RAL
Address
V
IH–
V
IL–
WE
V
IH–
V
IL–
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
RCS
t
CWL
t
WP
t
RCS
t
CWL
t
RWL
t
WP
OE
V
IH–
V
IL–
t
OEH
t
OEH
t
OEH
I/O
V
IH–
V
IL–
t
OED
t
DS
t
DH
Hi-Z
Data in
t
OED
t
DS
t
DH
Data in
Hi-Z
t
OED
t
DS
t
DH
Data in
Hi-Z
Remark
In the hyper page mode (EDO), read, write and read modify write cycles are available for each of the
consecutive CAS cycles within the same RAS cycle.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD4264805 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4265805 8,388,608 Words by 8 Bits CMOS dynamic RAMs(64M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD431009 1M-Bit CMOS Fast Static RAM(1M位CMOS 快速靜態(tài))
μPD431232AL 1M CMOS synchronous Fast static RAM(1M 位CMOS 同步快速靜態(tài)RAM)
μPD431532L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態(tài)RAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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PD430607 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目,二極管:1 SCR,1 個(gè)二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)(最大):150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))(最大):95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))(最大):210A 電流 - 非重復(fù)電涌,50、60Hz (Itsm):1785A,1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK(3 + 2) 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
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