參數(shù)資料
型號(hào): μPD421165
廠商: NEC Corp.
英文描述: 1M- bit CMOS dynamic RAMs(1M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 100萬位CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(RAM的100萬的CMOS動(dòng)態(tài))
文件頁(yè)數(shù): 13/48頁(yè)
文件大?。?/td> 466K
代理商: ΜPD421165
μ
PD421165
13
Write Cycle
Parameter
Symbol
t
HPC
= 25 ns
t
HPC
= 30 ns
t
HPC
= 35 ns
Unit Notes
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
WE hold time referenced to CAS
t
WCH
10
12
15
ns
1
WE pulse width
t
WP
10
12
15
ns
1
WE lead time referenced to RAS
t
RWL
15
15
20
ns
WE lead time referenced to CAS
t
CWL
10
12
15
ns
WE setup time
t
WCS
0
0
0
ns
2
OE hold time
t
OEH
0
0
0
ns
Data-in setup time
t
DS
0
0
0
ns
3
Data-in hold time
t
DH
10
12
15
ns
3
Notes 1.
t
WP (MIN.)
is applied to late write cycles or read modify write cycles. In early write cycles, t
WCH (MIN.)
should
be met.
2.
If t
WCS
t
WCS (MIN.)
, the cycle is an early write cycle and the data out will remain Hi-Z through the entire
cycle.
3.
t
DS (MIN.)
and t
DH (MIN.)
are referenced to the CAS falling edge in early write cycles. In late write cycles and
read modify write cycles, they are referenced to the WE falling edge.
Read Modify Write Cycle
Parameter
Symbol
t
HPC
= 25 ns
t
HPC
= 30 ns
t
HPC
= 35 ns
Unit
Note
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Read modify write cycle time
t
RWC
145
160
165
ns
RAS to WE delay time
t
RWD
79
89
89
ns
1
CAS to WE delay time
t
CWD
36
39
39
ns
1
Column address to WE delay time
t
AWD
49
54
59
ns
1
Note 1.
If t
WCS
t
WCS (MIN.)
, the cycle is an early write cycle and the data out will remain Hi-Z through the entire cycle.
If t
RWD
t
RWD (MIN.)
, t
CWD
t
CWD (MIN.)
, t
AWD
t
AWD (MIN.)
and t
CPWD
t
CPWD (MIN.)
, the cycle is a read modify write
cycle and the data out will contain data read from the selected cell. If neither of the above conditions is
met, the state of the data out is indeterminate.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD4216165L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S16165L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4216405L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S16405L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4216405 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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PD42-2-1070 功能描述:Bipolar Stepper Motor Hybrid Frame Size 17 200 Step 1A 24VDC 制造商:trinamic motion control gmbh 系列:PANdrive? 零件狀態(tài):在售 類型:混合物 線圈類型:雙極性 電壓 - 額定:24VDC 額定電流:1A 每轉(zhuǎn)步數(shù):200 步進(jìn)角:1.8° 精度:±5% 轉(zhuǎn)矩 - 保持(oz-in/mNm):5.1 / 36 大小/尺寸:方形 - 1.650" x 1.650"(42.00mm x 42.00mm) NEMA 框架尺寸:17 直徑 - 軸:- 長(zhǎng)度 - 軸和軸承:- 安裝孔間距:1.220"(30.99mm) 端子類型:連接器 工作溫度:-20°C ~ 50°C 線圈電阻:1.2 歐姆 特性:集成控制器,圓軸 轉(zhuǎn)動(dòng)慣量:57gcm2 認(rèn)可:- 重量:0.706 磅(320.24g) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30