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參數(shù)資料
| 型號： | μPD42S16165L |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1,600位CMOS動態(tài)存儲器（1,600的CMOS動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 1/48頁 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | ΜPD42S16165L |
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1994
DATA SHEET
The mark
shows major revised points.
MOS INTEGRATED CIRCUIT
μ
PD42S16165L, 4216165L
Description
The
μ
PD42S16165L, 4216165L are 1,048,576 words by 16 bits CMOS dynamic RAMs with optional EDO.
EDO is a kind of the page mode and is useful for the read operation.
Besides, the
μ
PD42S16165L can execute CAS before RAS self refresh.
The
μ
PD42S16165L, 4216165L are packaged in 50-pin plastic TSOP (
II
) and 42-pin plastic SOJ.
Features
EDO (Hyper page mode)
1,048,576 words by 16 bits organization
Single +3.3 V
±
0.3 V power supply
Fast access and cycle time
Part number
Power consumption
Active (MAX.)
Access time
(MAX.)
R/W cycle time
(MIN.)
EDO (Hyper page mode)
cycle time (MIN.)
μ
PD42S16165L-A50, 4216165L-A50
432 mW
50 ns
84 ns
20 ns
μ
PD42S16165L-A60, 4216165L-A60
396 mW
60 ns
104 ns
25 ns
μ
PD42S16165L-A70, 4216165L-A70
360 mW
70 ns
124 ns
30 ns
The
μ
PD42S16165L can execute CAS before RAS self refresh
Part number
Refresh cycle
Refresh
Power consumption at standby
(MAX.)
μ
PD42S16165L
4,096 cycles/128 ms
CAS before RAS self refresh,
CAS before RAS refresh,
RAS only refresh, Hidden refresh
0.54 mW
(CMOS level input)
μ
PD4216165L
4,096 cycles/64 ms
CAS before RAS refresh,
RAS only refresh,
Hidden refresh
1.8 mW
(CMOS level input)
Document No. M10075EJ5V0DS00 (5th edition)
Date Published January 1997 N
Printed in Japan
The information in this document is subject to change without notice.
3.3 V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM
1 M-WORD BY 16-BIT, EDO, BYTE READ/WRITE MODE,
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD4216405L | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| μPD42S16405L | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| μPD4216405 | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| μPD42S16405 | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
| μPD4217405L | 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD430 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| PD4306 | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (600 Amperes / Up to 2400 Volts) |
| PD430607 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 600V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
| PD4307 | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POW-R-BLOK Dual SCR Isolated Module (700 Amperes / Up to 1800 Volts) |
| PD430807 | 功能描述:SCR MOD ISO DUAL 800V 700A RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關(guān)文件:SCR Module Selection Guide 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導(dǎo)通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復(fù)電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND |
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