| 型號(hào)： | ZXM66P02N8TC |
| 廠(chǎng)商： | Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN 20V 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫歐 @ 3.2A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 43.3nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2068pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.56W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |