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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZVP2120Z |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 170MA I(D) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 200伏五（巴西）直|電流170mA（?。﹟采用SOT - 89 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 479K |
| 代理商： | ZVP2120Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZVP2106C | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | TO-92 |
| ZVP2106E | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | SOT-223 |
| ZVP2106GTA | TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
| ZVP2110C | Obsolete - alternative part: ZVP2110A |
| ZVP2110E | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 230MA I(D) | DIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZVP3306 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| ZVP3306A | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP3306A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P E-LINE |
| ZVP3306ASTOA | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| ZVP3306ASTOB | 功能描述:MOSFET P-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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