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參數(shù)資料
| 型號： | ZUMT717TA |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 晶體管的SOT - 323 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | ZUMT717TA |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-12
V
I
C
= -100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-12
V
I
C
= -10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
= -100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-10
nA
V
CB
=-10V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
-10
nA
V
EB
=-4V
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CES
-10
nA
V
CES
=-10V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-25
-55
-110
-160
-185
-40
-100
-175
-215
-240
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= -0.1A, I
B
= -10mA*
I
C
= -0.25A, I
=-10 mA*
I
C
= -0.5A, I
=-10 mA*
I
C
= -1A, I
= -50mA*
I
C
= -1.25A, I
B
= -100mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-990
-1100
mV
I
C
= -1.25A, I
B
= -100mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
-850
-1000
mV
I
C
= -1.25A, V
CE
= 2V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
300
300
200
125
75
30
490
450
340
250
140
80
I
C
= -10mA, V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A, V
CE
= -2V*
I
C
= -0.5A, V
CE
= -2V*
I
C
= -1.25A, V
=-2V*
I
C
= -2A, V
CE
= -2V*
I
C
= -3A, V
CE
= -2V*
Transition
Frequency
f
T
220
MHz
I
= -50mA, V
CE
=-10 V
f= 100MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
= -10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
50
ns
V
CC
= -10V, I
=-1A
I
B1
=I
B2
=-100mA
Turn-Off Time
t
(off)
135
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZUMT717
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZUMT718TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT720TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZV700 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVP0120B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVP0120L | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZUMT717TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 20V, 1A, 385mW, SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency Typ ft:210MHz; Power Dissipation Pd:385mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:490 ;RoHS Compliant: Yes |
| ZUMT718 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-323 |
| ZUMT718TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT718TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Super323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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