參數(shù)資料
型號(hào)： ZUMT618TA
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 晶體管的SOT - 323
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： ZUMT618TA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
20
V
I
C
= 100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
20
V
I
C
= 10mA*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
= 100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
10
nA
V
CB
= 16V
Emitter Cut-Off
Current
I
EBO
10
nA
V
EB
= 4V
Collector Emitter
Cut-Off Current
I
CES
10
nA
V
CES
= 16V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
16.5
40
80
140
155
25
60
115
200
250
mV
mV
mV
mV
mV
I
C
= 100mA, I
B
=10mA*
I
C
= 250mA, I
B
= 10mA*
I
C
= 500mA, I
=10mA*
I
C
= 1A, I
=20mA*
I
C
= 1.25A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
955
1100
mV
I
C
= 1.25A, I
B
=50mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
V
BE(on)
840
1100
mV
I
C
= 1.25A, V
CE
= 2V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
h
FE
200
300
200
100
40
20
420
450
380
300
180
60
I
C
= 10mA, V
CE
= 2V*
I
C
= 100mA, V
CE
= 2V*
I
C
= 500mA, V
=2V*
I
C
= 1A, V
CE
=2 V*
I
C
= 2A, V
CE
=2V*
I
C
=4A, V
CE
= 2V*
Transition
Frequency
f
T
210
MHz
I
= 50mA, V
CE
=10V
f= 100MHz
Output Capacitance
C
obo
10
pF
V
CB
= 10V, f=1MHz
Turn-On Time
t
(on)
50
ns
V
CC
=10 V, I
=1A
I
B1
=I
B2
=100mA
Turn-Off Time
t
(off)
275
ns
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZUMT618
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZUMT619TA Transient Voltage Suppressor Diodes
ZUP6-33 Zero-up CV/CC 200 ~ 800W
ZVN0540B Transient Voltage Suppressor Diodes
ZVN0535A Transient Voltage Suppressor Diodes
ZVN0540L Transient Voltage Suppressor Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
ZUMT618TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZUMT619 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-323 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 50V, 1A, 385mW, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:215MHz; Power Dissipation Pd:385mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:450 ;RoHS Compliant: Yes
ZUMT619 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-323
ZUMT619TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
ZUMT619TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Super323 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*