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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ZUMT2907A |
| 元件分類： | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述： | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述： | 過(guò)時(shí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | ZUMT2907A |
SOT323 PNP SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 1 – OCTOBER 1998
%
FEATURES
*
PARTMARKING DETAIL – T15
Fast switching
COMPLIMENTARY TYPE – ZUMT2222A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-60
V
Collector-Emitter Voltage
-60
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Continuous Collector Current
-600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-60
V
I
C
=-10
μ
A, I
E
=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-60
V
I
C
=-10mA, I
B
=0*
Emitter-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-10
μ
A, I
C
=0
Collector-Emitter Cut-Off
Current
I
CEX
-50
nA
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-10
-10
nA
μ
A
nA
V
CB
=-50V, I
E
=0
V
CB
=-50V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
CE
=-30V, V
BE
=-0.5V
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-150mA, I
B
=-15mA*
I
C
=-500mA, I
B
=-50mA*
I
C
=-0.1mA, V
=-10V
I
C
=-1mA, V
CE
=-10V
I
C
=-10mA, V
CE
=-10V
I
C
=-150mA, V
CE
=-10V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-10V*
I
=-50mA, V
CE
=-20V
f=100MHz
Base Cut-Off Current
I
B
V
CE(sat)
-50
Collector-Emitter
Saturation Voltage
-0.4
-1.6
V
V
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.3
-2.6
V
V
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
FE
75
100
100
100
50
300
Transition
Frequency
f
T
200
MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZUMT2907A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZUMT717TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT718TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT720TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZV700 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZVP0120B | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ZUMT2907ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT2907ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT413 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR |
| ZUMT413TA | 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| ZUMT413TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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