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參數(shù)資料
| 型號： | ZUMT2222A |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | SOT323 NPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTOR |
| 中文描述： | 的SOT323 NPN硅平面開關(guān)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 30K |
| 代理商： | ZUMT2222A |
SOT323 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTOR
ISSUE 1 – NOVEMBER 1998
FEATURES
*
Fast switching
PARTMARKING DETAIL
– T16
COMPLEMENTARY TYPE
– ZUMT2907A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
75
V
Collector-Emitter Voltage
40
V
Emitter-Base Voltage
6
V
Continuous Collector Current
600
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
I
CBO
330
mW
-55 to +150
°C
MAX.
UNIT
V
CONDITIONS.
I
C
=10
μ
A, I
E
=0
V
(BR)CBO
75
V
(BR)CEO
40
V
I
C
=10mA, I
B
=0
V
(BR)EBO
6
V
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
10
10
10
10
nA
μ
A
nA
nA
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=60V, I
E
=0, T
amb
=150°C
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=60V, V
EB(off)
=3V
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=150mA, I
B
=15mA*
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=0.1mA, V
=10V*
I
C
=1mA, V
CE
=10V
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=10V, T
amb
=-55°C
I
C
=150mA, V
CE
=10V*
I
C
=150mA, V
CE
=1V*
I
C
=500mA, V
CE
=10V*
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Cut-Off
Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
I
EBO
I
CEX
V
CE(sat)
0.3
1.0
1.2
2.0
V
V
V
V
V
BE(sat)
0.6
h
FE
35
50
75
35
100
50
40
300
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
ZUMT2222A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ZY13GP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| ZY15GP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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| ZY18GP | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ZUMT2222ATA | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 - RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| ZUMT2222ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT2369ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT2369ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| ZUMT2907A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Obsolete |
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