| 型號(hào): | ZTX601B |
| 元件分類: | TVS-瞬態(tài)抑制二極管 |
| 英文描述: | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| 中文描述: | 晶體管|晶體管|達(dá)林頓|叩| 160V五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92VAR |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大小: | 152K |
| 代理商: | ZTX601B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| ZTX653DCSM | NPN Dual Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package For High Reliability Application(Vcbo:120V,Vceo:100V,Vebo:5V)(雙NPN晶體管(高可靠性、氣密陶瓷表貼封裝,Vcbo:120V,Vceo:100V,Vebo:5V)) |
| ZTX753DCSM | PNP Dual Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package For High Reliability Application(Vcbo:-120V,Vceo:-100V,Vebo:-5V)(雙PNP晶體管(高可靠性、氣密陶瓷表貼封裝,Vcbo:-120V,Vceo:-100V,Vebo:-5V)) |
| ZUMT618TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUMT619TA | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| ZUP6-33 | Zero-up CV/CC 200 ~ 800W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| ZTX601BM1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | SO |
| ZTX601BSTOA | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX601BSTOB | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX601BSTZ | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| ZTX601DA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 160V V(BR)CEO | CHIP |