參數(shù)資料
型號： ZTX337C
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： Transient Voltage Suppressor Diodes
中文描述： 過時
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： ZTX337C
NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 2 MARCH 94
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
B
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
50
V
Collector-Emitter Voltage
45
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Base Current
100
mA
Continuous Collector Current
800
mA
Power Dissipation
750
mW
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +175
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
50
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CES
45
V
I
C
=100
μ
A
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
5
V
I
E
=100
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
100
nA
V
CB
=45V, I
E
=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
0.7
V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
Base-Emitter Turn On
Voltage
V
BE(on)
1.2
V
I
C
=300mA,V
CE
=1V*
Static Forward Current
Transfer
h
FE
250
170
630
I
C
=100mA, V
CE
=1V*
I
C
=300mA, V
CE
=1V*
Transition
Frequency
f
T
200
MHz
I
=10mA, V
CE
=5V
f=50MHz
Output Capacitance
C
obo
12
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
ZTX337C
3-163
C
E-Line
TO92 Compatible
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PDF描述
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ZTX502 TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92VAR
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