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ZXMN2B14FHTA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ZXMN2B14FHTA 技術(shù)參數(shù)
  • ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 11A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-MSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.5A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):- 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17.16nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無(wú)貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 2.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ZXMN3A02N8TA ZXMN3A02X8TA ZXMN3A02X8TC ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TC ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TC ZXMN3A04KTC ZXMN3A05N8TA ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8TC ZXMN3A06N8TA ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FTA ZXMN3AM832TA ZXMN3AMCTA ZXMN3B01FTA ZXMN3B04N8TA
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