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ZXMN3A02N8TA

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  • ZXMN3A02N8TA
    ZXMN3A02N8TA

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  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯(lián)系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 10486

  • ZETEX

  • 原廠

  • 21+

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  • 百分百進口原裝現(xiàn)貨,價格有優(yōu)勢。

  • ZXMN3A02N8TA
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 250000

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  • SOP-8

  • 最新批次

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  • 百分百原裝正品,假一罰十

  • ZXMN3A02N8TA
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  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • ZXMN3A02N8TA
    ZXMN3A02N8TA

    ZXMN3A02N8TA

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 150

  • ZETEX

  • 0321+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • ZXMN3A02N8TA
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • SOP-8

  • 最新批號

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ZXMN3A02N8TA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 30V N Chnl UMOS
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ZXMN3A02N8TA 技術(shù)參數(shù)
  • ZXMN2A02X8TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 11A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 10V 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1 ZXMN2A01E6TA 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):303pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-23-6 封裝/外殼:SOT-23-6 標準包裝:1 ZXMN2069FTA 功能描述:MOSFET N-CH SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 ZXMN10A25K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17.16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):859pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:2,500 ZXMN10A11K 功能描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 2.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):274pF @ 50V 功率 - 最大值:2.11W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252-3 標準包裝:1 ZXMN3A06DN8TC ZXMN3A06N8TA ZXMN3A14FQTA ZXMN3A14FTA ZXMN3AM832TA ZXMN3AMCTA ZXMN3B01FTA ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TC ZXMN3B14FTA ZXMN3F30FHTA ZXMN3F31DN8TA ZXMN3G32DN8TA ZXMN4A06GTA ZXMN4A06KTC ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTC ZXMN6A07ZTA
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