參數(shù)資料
型號(hào)： XP5601
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP(NPN) epitaxial planer transistor
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI6-G1, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： XP5601
3
Composite Transistors
XP5601
Common characteristics chart
P
T
— Ta
Characteristics charts of Tr1
I
C
— V
CE
I
C
— I
B
I
B
— V
BE
I
C
— V
BE
V
CE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
0
100
200
300
400
500
0
40
80
120
160
Ambient temperature Ta (C)
T
T
0
0
–18
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
–60
–50
–40
–30
–20
–10
C
C
Ta=25C
I
B
=–300
μ
A
–250
μ
A
–200
μ
A
–150
μ
A
–100
μ
A
–50
μ
A
0
0
–100
Base current I
B
(
μ
A)
–200
–300
–400
–60
–50
–40
–30
–20
–10
C
C
V
CE
=–5V
Ta=25C
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–400
–350
–300
–250
–200
–150
–100
–50
Base to emitter voltage V
BE
(V)
B
B
μ
A
V
CE
=–5V
Ta=25C
0
0
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
–240
–200
–160
–120
–80
–40
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
V
CE
=–5V
Ta=75C
–25C
25C
–0.001
–0.003
–1
–3
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–10
–30
–100 –300 –1000
Collector current I
C
(mA)
C
C
I
C
/I
B
=10
Ta=75C
25C
–25C
0
–1
–3
600
500
400
300
200
100
–10
–30
–100 –300 –1000
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=–10V
Ta=75C
25C
–25C
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