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參數(shù)資料
| 型號： | XP1C301 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SMINI5-G1, 5 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | XP1C301 |
XP0C301
3
SJJ00222CED
Characteristics charts of Tr1
I
C
V
CE
I
C
I
B
I
B
V
BE
I
C
V
BE
V
CE(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
0
12
10
8
2
6
4
0
120
100
80
60
40
20
T
a
=
25
°
C
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
I
B
=
300
μ
A
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
0
1.0
0.2
0.8
0.6
0.
4
1.2
0
160
120
100
80
40
20
60
140
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
Base current I
B
(mA)
C
C
0
0.8
0.2
0.4
0.6
0
4.0
3.0
1.0
2.5
3.5
2.0
0.5
1.5
V
CE
=
10
V
T
a
=
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
B
B
0
1.0
0.8
0.2
0.6
0.4
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
C
C
1
10
10
2
10
3
10
3
10
2
10
1
1
10
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
1
1
10
2
10
3
10
0
600
500
400
300
200
100
F
F
Collector current I
C
(mA)
V
CE
=
10 V
25
°
C
25
°
C
T
a
=
75
°
C
0
10
20
30
40
10
1
f
=
1 MHz
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XP4111 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP4113 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP4115 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP4116 | Silicon PNP epitaxial planer transistor |
| XP4212 | Silicon NPN epitaxial planer transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XP1CHG | 功能描述:電池充電器 CHARGER FOR XP1 RoHS:否 制造商:Power-Sonic 化學(xué)性質(zhì):Sealed Lead Acid 輸出電壓:12 V 輸出電流:500 mA 端接類型:Screw |
| XP1D873 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel junction FET |
| XP1D874 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:N-channel junction FET |
| XP1E554 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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