參數(shù)資料
型號(hào)： XP162A02D5PR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： Power MOS FET
中文描述： 功率MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： XP162A02D5PR
u
C
Drain/Source Voltage:Vds (V)
Drain/Source Voltage vs. Capacitance
Vgs=0V, f=1MHz
S
Drain Current:Id (A)
Switching Time vs. Drain Current
Vgs=-5V, Vdd
-10V, PW=10
μ
sec. duty
1%
G
Gate Charge:Qg (nc)
Gate/Source Voltage vs. Gate Charge
Vds=-10V, Id=-0.8A
R
Source/Drain Voltage:Vsd (V)
Reverse Drain Current vs. Source/Drain Voltage
Pulse Test
Pulse Width:PW (sec)
Standardized Transition Thermal Resistance vs. Pulse Width
Rth (ch-a)=62.5C/W, (Implemented on a glass epoxy PCB)
Single Pulse
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ZDI23200ZPK IC-DEBUG INTERFACE MODULE
ZDR101F011 TIME SWITCH 1 CHAN.230V
ZDR102F021 TIME SWITCH 2 CHAN.230V
ZDT795A
ZES-IS-150X13 ERDUNGSSTREIFEN MIT ISOLATIONSTUELLE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XP162A11C0PR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
XP162A11C0PR_1 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
XP162A11C0PR_12 制造商:TOREX 制造商全稱:Torex Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
XP162A11C0PR-G 制造商:Torex Semiconductor LTD 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT89
XP162A11C0PRN 制造商:Torex Semiconductor LTD 功能描述:
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