參數(shù)資料
型號(hào)： XP151A03A7MR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： Power MOS FET
中文描述： 功率MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： XP151A03A7MR
u
XP151A03A7MR Characteristics
C
Drain/Source Voltage:Vds (V)
Drain/Source Voltage vs. Capacitance
Vgs=0V, f=1MHz
S
Drain Current:Id (A)
Switching Time vs. Drain Current
Vgs=5V, Vdd
10V, PW=10
μ
sec. duty
1%
G
Gate Charge:Qg (nc)
Gate/Source Voltage vs. Gate Charge
Vds=10V, Id=0.8A
R
Source/Drain Voltage:Vsd (V)
Reverse Drain Current vs. Source/Drain Voltage
Pulse Test
Pulse Width:PW (sec)
Standardized Transition Thermal Resistance vs. Pulse Width
Rth (ch-a)=250C/W, (Implemented on a glass epoxy PCB)
Single Pulse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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