參數(shù)資料
型號(hào)： XP0D873
英文描述： Composite Device - Diodes - Composite Diodes
中文描述： 復(fù)合設(shè)備-二極管-復(fù)合二極管
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： XP0D873
XP0D873
2
SJJ00223BED
Y
fs
V
GS
Y
fs
I
D
P
T
T
a
I
D
V
DS
I
D
V
GS
0
160
40
120
80
0
250
200
150
100
50
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
10
8
6
4
2
0
1.6
1.2
0.8
0.4
T
a
=
25
°
C
D
D
Drain to source voltage V
DS
(V)
V
GS
=
0 V
0.1 V
0.2 V
0.3 V
0.4 V
1.2
0
0.2
0.4
1.0
0.6
0.8
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V
DS
=
10 V
D
D
Gate to source voltage V
GS
(V)
75
°
C
T
a
=
25
°
C
25
°
C
1.6
0
0.4
1.2
0.8
0
5
4
3
2
1
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
F
Y
f
Gate to source voltage V
GS
(V)
0
6
4
5
1
2
3
0
5
4
3
2
1
V
DS
=
10 V
T
a
=
25
°
C
F
Y
f
Drain current I
D
(mA)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XP1D873 Composite Device - Diodes - Composite Diodes
XP0D874 Composite Device - Composite Transistors
XP1D874 Composite Device - Composite Transistors
XP0D874(XP1D874) Composite Device - Composite Transistors
XP0D873(XP1D873) 複合デバイス － 複合トランジスタ
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參數(shù)描述
XP0NG8A00L 功能描述:TRANS PNP WITH DIODE SMINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242
XP1 功能描述:螺絲刀、螺母起子和套筒扳手 CORDLESS DRIVER RoHS:否 制造商:Wiha 產(chǎn)品: 類型:Wiha Magic Ring Ball End Hex Keys 大小:
XP1000 制造商:Energizer Battery Company 功能描述:
XP1001 制造商:MIMIX 制造商全稱:MIMIX 功能描述:26.0-40.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier
XP1001000-01 功能描述:以太網(wǎng)模塊 XPORT XE WITHO RoHS:否 制造商:Lantronix 產(chǎn)品:Device Servers 數(shù)據(jù)速率:300 bps to 921.6 kbps, 10 Mbps, 100 Mbps 接口類型:Ethernet, Serial 工作電源電壓:5 V to 15 V 工作電源電流:133 mA to 400 mA 最大工作溫度:+ 70 C
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