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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | XN4402 |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Composite Device - Composite Transistors |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 89K |
| 代理商： | XN4402 |
XN04402
2
SJJ00072BED
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
T
T
a
I
C
V
CE
I
C
I
B
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
BE
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
0
20
4
8
16
12
0
800
700
600
500
400
300
200
100
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
T
a
=
25
°
C
I
B
=
10 mA
98 mA
7 6 mA
5 mA
4 mA
3 mA
2 mA
1 mA
0
10
8
6
4
2
Base current I
B
(mA)
0
800
700
600
500
400
300
200
100
C
C
V
CE
=
10 V
T
a
=
25
°
C
C
C
Collector current I
C
(mA)
10
3
1
10
2
10
1
1
10
10
10
2
10
3
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
B
B
Collector current I
C
(mA)
1
10
1
1
10
10
2
10
10
2
10
3
10
2
I
C
/ I
B
=
10
T
a
=
25
°
C
25
°
C
75
°
C
0
300
250
200
150
100
50
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
10
2
10
3
V
CE
=
10 V
T
a
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
240
200
160
120
80
40
1
10
10
2
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=
10 V
T
a
=
25
°
C
1
0
24
20
16
12
8
4
10
10
2
f
=
1 MHz
I
E
=
0
T
a
=
25
°
C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
1
10
10
2
10
3
0
120
100
80
60
40
20
I
C
=
2 mA
T
a
=
25
°
C
Base-emitter resistance R
BE
(k
)
C
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN04501 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN04502 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN4502 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN04504 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN4504 | Silicon NPN epitaxial planar type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| XN4502 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN4503 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer transistor |
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