參數(shù)資料
型號(hào)： XN04602
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： AIRBUS
中文描述： 500 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 117K
代理商： XN04602
XN04602
2
SJJ00261BED
Tr2
■
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Tr1
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
Common characteristics chart
P
T
T
a
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
150 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
60
50
5
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
V
EBO
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
I
CBO
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
85
340
40
Collector-emitter saturation voltage
*
0.35
1.1
0.60
1.5
V
Base-emitter saturation voltage
*
V
BE(sat)
V
Transition frequency
f
T
C
ob
200
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
6
15
pF
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
V
CBO
I
C
=
10
μ
A, I
E
=
0
I
C
=
10 mA, I
B
=
0
I
E
=
10
μ
A, I
C
=
0
V
CB
=
20 V, I
E
=
0
V
CE
=
10 V, I
C
=
150 mA
V
CE
=
10 V, I
C
=
500 mA
I
C
=
300 mA, I
B
=
30 mA
V
CB
=
10 V, I
E
=
50 mA, f
=
200 MHz
V
CB
=
10 V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
60
V
Collector-emitter voltage (Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage (Collector open)
V
EBO
I
CBO
5
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)
0.1
μ
A
Forward current transfer ratio
*
h
FE1
85
340
h
FE2
V
CE(sat)
40
Collector-emitter saturation voltage
*
0.35
0.60
V
Transition frequency
f
T
C
ob
200
MHz
Collector output capacitance
(Common base, input open circuited)
6
15
pF
0
160
40
120
80
0
500
200
400
100
300
T
T
Ambient temperature T
a
(
°
C)
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2.*: Pulse measurement
相關(guān)PDF資料
PDF描述
XN04604 Composite Device - Composite Transistors
XN4604 Composite Device - Composite Transistors
XN06501 Silicon NPN epitaxial planar type
XN09D57 Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD)
XN0A311 Composite Transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
XN0460200L 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
XN04604 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor
XN04604(XN4604) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ
XN0460400L 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
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