參數(shù)資料
型號(hào)： WMS128K8L-100DRIE
元件分類(lèi)： SRAM
英文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, CDSO32
封裝： CERAMIC, SOJ-32
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 107K
代理商： WMS128K8L-100DRIE
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
1
HI-RELIABILITY PRODUCT
WMS128K8-XXX
s Commercial, Industrial and Military Temperature Range
s 5 Volt Power Supply
s Low Power CMOS
s 2V Data Retention Devices Available
(Low Power Version)
s TTL Compatible Inputs and Outputs
128Kx8 MONOLITHIC SRAM, SMD 5962-96691 (pending)
FEATURES
s Access Times 70, 85, 100, 120ns
s Revolutionary, Center Power/Ground Pinout
JEDEC Approved
32 lead Ceramic SOJ (Package 101)
s Evolutionary, Corner Power/Ground Pinout
JEDEC Approved
32 pin Ceramic DIP (Package 300)
32 lead Ceramic SOJ (Package 101)
32 lead Ceramic Flat Pack (Package 206)
s MIL-STD-883 Compliant Devices Available
EVOLUTIONARY PINOUT
REVOLUTIONARY PINOUT
A0-16
Address Inputs
I/O 0-7
DataInput/Output
CS
Chip Select
OE
OutputEnable
WE
WriteEnable
VCC
+5.0VPower
GND
Ground
PIN DESCRIPTION
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
VCC
A15
NC/CS2*
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A0
A1
A2
A3
CS
I/O1
I/O2
VCC
GND
I/O3
I/O4
WE
A4
A5
A6
A7
A16
A15
A14
A13
OE
I/O8
I/O7
GND
VCC
I/O6
I/O5
A12
A11
A10
A9
A8
32 DIP
32 CSOJ (DE)
32 FLATPACK (FE)
TOP VIEW
32 CSOJ (DR)
* NC for single chip select devices
CS2 for dual chip select devices
February 2000 Rev. 2
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PDF描述
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