參數(shù)資料
型號(hào)： W3E232M16S-400STI
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： DRAM
英文描述： 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 9/22頁(yè)
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代理商： W3E232M16S-400STI
W3E232M16S-XSTX
17
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.wedc.com
White Electronic Designs
December 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
PRELIMINARY*
ELECTRICAL CHARACTERISTICS & RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
-40°C ≤ TA ≤ +85°C; VCCQ = +2.5V ±0.2V, VCC = +2.6V ±0.1V Notes: 1-5, 14-17. 33
AC Characteristics
DDR333
DDR266
Unit
Notes
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
DQS write postamble
tWPST
0.4
0.6
0.4
0.6
19
Write recovery time
tWR
15
Internal WRITE to READ command delay
tWTR
11
s
23
Data valid output window (DVW)
N/A
tQH - tDQSQ
REFRESH to REFRESH command interval (industrial)
tREFC
70.3
ns
25
Average periodic refresh interval
tREFI
7.8
s
23
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
00
ns
Exit SELF REFRESH to non-READ command
tXSNR
75
ns
Exit SELF REFRESH to READ command
tXSRD
200
tCK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W3EG6418S263D3 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3EG6432S262JD3 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
W3EG6432S335D3 32M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
W3HG256M72AER403AD6MG 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.6 ns, DMA240
W3HG264M72EEU534PD4GG 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.5 ns, DMA200
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參數(shù)描述
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W3E232M16S-XSTX 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:2x32Mx16bit DDR SDRAM
W3E32M64S-200BC 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 200 MHZ, 219 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk
W3E32M64S-200BI 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 200 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk
W3E32M64S-200BM 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:32M X 64 DDR, 2.5V, 200 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk
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