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參數(shù)資料
| 型號： | W3E16M64S-250BC |
| 廠商： | WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| 封裝： | 21 X 25 MM, PLASTIC, BGA-219 |
| 文件頁數(shù)： | 9/16頁 |
| 文件大小： | 406K |
| 代理商： | W3E16M64S-250BC |
2
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
W3E16M64S-XBX
January 2008
Rev. 5
FIGURE 1 – PIN CONFIGURATION
NOTE: DNU = Do Not Use; to be left unconnected for future upgrades.
NC = Not Connected Internally.
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RAS0#
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CLK3
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VCCQ
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WE2#
DQML2
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DQ4
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DQ53
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DQ27
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CLK0
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CAS3#
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DQML3
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VCC
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WE128K8-250CM | EEPROM 5V MODULE, CDIP32 |
| W25Q64BVSSIG | 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| WE128K8-250CCA | EEPROM 5V MODULE, CDIP32 |
| W25Q16CVTCAG | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PBGA24 |
| WF2M32S-100HM | 8M X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 100 ns, CHIP66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W3E16M64S-250BI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-250BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 250 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-266BC | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, COMMERCIAL TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-266BI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, INDUSTRIAL TEMP. - Bulk |
| W3E16M64S-266BM | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:16M X 64 DDR, 2.5V, 266 MHZ, 219 PBGA, MIL-TEMP. - Bulk |
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