| 型號: | VVZ40-12GO1 |
| 英文描述: | THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.2KV V(RRM)|40A I(T) |
| 中文描述: | 可控硅模塊| 3 - PH值全波|半CNTLD |消委會| 1.2KV五(無線資源管理)| 40A條疙(T) |
| 文件頁數(shù): | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商: | VVZ40-12GO1 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMQA12V | Single, Low Offset, RRIO Amplifier; Package: SOIC-8; Temperature Range: -40°C to +125°C |
| MMQA13V | Direct ProTek Replacement:PSMS12 |
| MMQA15V | Direct ProTek Replacement:SMS12 |Alternative ProTek Replacement:PSMS15 |
| MMQA18V | Direct ProTek Replacement:SMS15 |Alternative ProTek Replacement:PSMS15 |
| MMQA20V | Direct ProTek Replacement:SMS15 |Alternative ProTek Replacement:PSMS24 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VVZ40-12io1 | 功能描述:SCR模塊 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| VVZ40-14GO1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.4KV V(RRM)|40A I(T) |
| VVZ40-14io1 | 功能描述:SCR模塊 40 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| VVZ40-16GO1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.6KV V(RRM)|40A I(T) |
| VVZ40-16io1 | 功能描述:SCR模塊 40 Amps 1600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |