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參數(shù)資料
| 型號： | VVZ24-16IO1 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| 中文描述： | 16 A, 1600 V, SCR |
| 封裝： | MODULE-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | VVZ24-16IO1 |
200
3
IXYS All rights reserved
2 - 3
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
I
R
, I
D
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
T
VJ
= T
T
VJ
= 25 C
5
mA
mA
0.3
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
F
, I
T
= 30 A, T
VJ
= 25 C
For power-loss calculations only
(T
VJ
= 125 C)
V
D
= 6 V;
1.45
V
1
V
16
m
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= 125 C
V
D
= 2/3 V
DRM
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= 125 C
1.0
1.2
65
80
50
V
V
I
GT
V
D
= 6 V;
mA
mA
mA
V
GD
I
GD
I
L
T
VJ
= T
VJM
;
T
VJ
= T
VJM
;
I
G
= 0.3 A; t
= 30 s
di
G
/dt = 0.3 A/ s
0.2
V
5
mA
150
200
100
mA
mA
mA
I
H
t
gd
T
VJ
= 25 C; V
D
= 6 V; R
GK
=
T
VJ
= 25 C; V
D
= 1/2 V
I
G
= 0.3 A; di
G
/dt = 0.3 A/ s
T
VJ
= 125 C; I
= 15 A, t
= 300 s, -di/dt = 10 A/ s
V
R
= 100 V, dv/dt = 20 V/ s, V
D
= 2/3 V
DRM
per thyristor (diode); DC current
per module
per thyristor (diode); DC current
per module
100
mA
2
s
t
q
Q
r
R
thJC
typ. 150
s
C
75
2.1 K/W
0.35 K/W
2.7 K/W
0.45 K/W
R
thJH
d
S
d
A
a
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
7 mm
7 mm
50 m/s
2
VVZ 24
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VVZ24-12IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ24-14IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ24-16IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ40 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ40-12IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VVZ39-08ho7 | 功能描述:SCR模塊 39 Amps 800V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| VVZ39-12ho7 | 功能描述:SCR模塊 39 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| VVZ40 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ40-12GO1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.2KV V(RRM)|40A I(T) |
| VVZ40-12io1 | 功能描述:SCR模塊 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
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