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參數(shù)資料
| 型號： | VVZ110-12IO7 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge, B6HK |
| 中文描述： | 58 A, 1200 V, SCR |
| 封裝： | MODULE-8 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | VVZ110-12IO7 |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
0
50
100
150
0
20
40
60
80
100
120
A
I
dAV
°
C
T
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
200
300
400
500
600
700
800
900
A
s
I
FSM
t
s
t
K/W
Z
thJC
50 Hz
80% V
RRM
T
VJ
= 45
°
C
T
VJ
= 125
°
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
VVZ 110
VVZ 175
I
R
, I
D
V
R
= V
RRM
; V
D
= V
DRM
T
VJ
= T
T
VJ
= 25 C
5
mA
mA
0.3
V
F
, V
T
V
T0
r
T
V
GT
I
F
, I
T
= 200 A, T
VJ
= 25 C
For power-loss calculations only
(T
VJ
= 125 C)
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
V
D
= 6 V;
T
VJ
= 25 C
T
VJ
= -40 C
T
VJ
= T
VJM
;
V
D
= 2/3 V
DRM
T
VJ
= T
VJM
;
V
D
= 2/3 V
DRM
I
G
= 0.3 A; t
= 30 s
di
G
/dt = 0.3 A/ s
T
VJ
= 25 C; V
D
= 6 V; R
GK
=
T
VJ
= 25 C; V
D
= 1/2 V
I
G
= 0.3 A; di
G
/dt = 0.3 A/ s
per thyristor (diode); DC current
per module
per thyristor (diode); DC current
per module
1.75
1.57
V
0.85
0.85
3.5
V
6
m
1.5
1.6
100
200
V
V
I
GT
mA
mA
V
GD
I
GD
I
L
0.2
V
5
mA
T
VJ
= 25 C
450
mA
I
H
t
gd
200
mA
2
s
R
thJC
0.65
0.108
0.8
0.133
0.46
0.077
0.55
0.092
K/W
K/W
K/W
K/W
R
thJH
d
S
d
A
a
Creeping distance on surface
Creepage distance in air
Max. allowable acceleration
10
9.4
50
mm
mm
m/s
2
M6x10
7
3
3
2
6
6
C ~
D ~
E ~
A +
B -
5
1
12
25
66
26
26
72
80
94
4
5
6
3
2
1
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
VVZ 110
VVZ 175
Fig. 3 Surge overload current
I
FSM
: Crest value, t: duration
Fig. 1 Gate trigger characteristics
Fig. 2
DC output current at case
temperature
Fig. 4 Transient thermal impedance
junction to case (per leg)
VVZ 110
VVZ 110
VVZ 110
1
10
100
1000
I
G
0.1
1
10
V
G
mA
1: I
GT
, T
VJ
= 125
°
C
2: I
GT
, T
VJ
= 25
°
C
3: I
GT
, T
VJ
= -40
°
C
V
4: P
GAV
= 0.5 W
5: P
GM
= 5 W
6: P
GM
= 10 W
I
GD
, T
VJ
= 125
°
C
4
2
1
5
6
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VVZ110-14IO7 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge, B6HK |
| VVZ12-12IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ24 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ24-12IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
| VVZ24-14IO1 | Three Phase Half Controlled Rectifier Bridge |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VVZ110-14io7 | 功能描述:SCR模塊 110 Amps 1400V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| VVZ110-16IO7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH HALF-WAVE|CC|1.6KV V(RRM)|110A I(T) |
| VVZ12-12GO1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.2KV V(RRM)|12A I(T) |
| VVZ12-12io1 | 功能描述:SCR模塊 12 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| VVZ12-14GO1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|HALF-CNTLD|CC|1.4KV V(RRM)|12A I(T) |
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