參數(shù)資料
型號(hào)： VQ1001J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
中文描述： 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： VQ1001J
VQ1001J/P
Vishay Siliconix
Document Number: 70219
S-04279
—
Rev. D, 16-Jul-01
www.vishay.com
11-3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (A)
T
J
–
Junction Temperature ( C)
2.0
0
1
2
3
4
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
7 V
200
V
GS
= 10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
160
120
80
40
0
1.7 V
2.1 V
2.3 V
2.5 V
2.7 V
2.9 V
500
400
300
0
0
1
5
200
100
2
3
4
–
55 C
25 C
T
J
= 125 C
2.5
2.0
1.5
0
0
1.0
1.0
0.5
2.0
3.0
0
4
8
12
16
20
3
2
0
1
2.25
2.00
1.75
0.50
–
50
–
10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
0.1 A
V
GS
= 10 V
V
DS
= 15 V
I
D
= 0.2 A
1.0 A
0.5 A
V
GS
= 4.5 V
6 V
10 V
I
D
= 0.5 A
V
GS
= 10 V
0.5
1.5
2.5
I
D
–
I
D
–
I
D
–
r
D
–
r
D
–
r
D
–
(
N
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ1001J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1004J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VQ1004J N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VQ1006P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1006P N-Channel 80- and 90-V (D-S) MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1001P 功能描述:MOSFET QD 30V 0.53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1001P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin PDIP
VQ1001P-E3 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14-Pin SBCDIP 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:QUAD N-CH MOSFET SIDEBRAZE-14 30V 1.0 OHM (HOTS) LEAD FREE - Bulk 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-Channel, 30v, 0.53A, 12MOHMS
VQ1004J 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1004P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.46A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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