參數(shù)資料
型號(hào)： VQ1000J
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： N通道60 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大?。?/td> 51K
代理商： VQ1000J
2N7000/2N7002, VQ1000J/P, BS170
Vishay Siliconix
www.vishay.com
11-2
Document Number: 70226
S-04279
—
Rev. F, 16-Jul-01
Single
Total Quad
Parameter
Symbol
2N7000
2N7002
VQ1000J
VQ1000P
VQ1000J/P
BS170
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
V
GSM
V
GS
60
60
60
60
60
Gate-Source Voltage
—
Non-Repetitive
40
40
30
25
V
Gate-Source Voltage
—
Continuous
20
20
20
20
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
T
A
= 25 C
T
A
= 100 C
0.2
0.115
0.225
0.225
0.5
I
D
0.13
0.073
0.14
0.14
0.175
A
Pulsed Drain Current
a
I
DM
0.5
0.8
1
1
T
A
= 25 C
T
A
= 100 C
0.4
0.2
1.3
1.3
2
0.83
Power Dissipation
P
D
0.16
0.08
0.52
0.52
0.8
W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
R
thJA
312.5
625
96
96
62.5
156
C/W
Operating Junction and
Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–
55 to 150
C
Notes
a.
b.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
t
p
50 s.
Limits
2N7000
2N7002
Parameter
Symbol
Test Conditions
Typ
a
Min
Max
Min
Max
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
GS
= 0 V, I
D
= 10 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25 mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
V
DS
= 0 V, V
GS
=
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
70
60
60
2.1
0.8
3
V
Gate-Threshold Voltage
V
GS(th)
2.0
1
2.5
15 V
10
Gate-Body Leakage
I
GSS
20 V
100
nA
1
T
C
= 125 C
1000
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
1
A
T
C
= 125 C
500
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 7.5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 0.075 A
V
GS
= 5 V, I
D
= 0.05 A
0.35
0.075
On-State Drain Current
b
I
D(on)
1
0.5
A
4.5
5.3
3.2
7.5
Drain-Source On-Resistance
b
r
DS(on)
T
C
= 125 C
5.8
13.5
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
2.4
5
7.5
T
J
= 125 C
4.4
9
13.5
Forward Transconductance
b
Common Source Output Conductance
b
g
fs
g
os
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.2 A
V
DS
= 5 V, I
D
= 0.05 A
100
80
0.5
mS
Dynamic
Input Capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
22
60
50
Output Capacitance
V
DS
= 25 V, V
= 0 V
f = 1 MHz
11
25
25
pF
Reverse Transfer Capacitance
2
5
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VQ1001J Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
VQ1001J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓30V，夾斷電流0.83A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
VQ1004J N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流0.46A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
VQ1004J N-Channel 60-V (D-S) Single and Quad MOSFETs
VQ1006P N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V，夾斷電流0.4A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VQ1000P 功能描述:MOSFET QD 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1000P2 制造商:SILICONIX 功能描述:New
VQ1000P-2 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.225A 14-Pin PDIP T/R
VQ1000P-E3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.225A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VQ1001J 功能描述:MOSFET QD 30V 0.83A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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