參數(shù)資料
型號： VNS3NV04D
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： VNS3NV04D
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VNS3NV04D
1
1
Source-Drain Diode Forward Characteristics
Derating Curve
Static Drain Source On Resistance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
Transconductance
Static Drain-Source On resistance Vs. Input
Voltage
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Id (A)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
Gfs (S)
Vds=13V
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
300
Rds(on) (mohms)
Id=3.5A
Id=1A
Id=3.5A
Id=1A
Id=3.5A
Id=1A
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Vin(V)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Rds(on) (mohms)
Id=1.5A
Tj=150oC
Tj=-40oC
Tj=25oC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Id (A)
600
650
700
750
800
850
900
950
1000
1050
1100
Vsd (mV)
Vin=0V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0.55
Id(A)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
Rds(on) (mohms)
Tj=25oC
Tj=150oC
Tj=-40oC
Vin=2.5V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNS7NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VNS7NV0413TR THERMISTOR, PTC; Series:B598; Thermistor type:PTC; Resistance:6R; Tolerance, resistance:+/-25%; Temp, op. max:125(degree C); Voltage, operating:160V; Case style:Radial; Current, tripping:0.8A; Diameter, body:17.5mm; Length, RoHS Compliant: Yes
VNT008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 650V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS008D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5.77A I(D) | TO-220AB
VNS009D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VNS3NV04DPTR-E 功能描述:MOSFET OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04DTR-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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