參數(shù)資料
型號： VNS3NV04
廠商： 意法半導體
英文描述： “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
中文描述： “OMNIFET二”：充分AUTOPROTECTED功率MOSFET
文件頁數(shù)： 17/21頁
文件大?。?/td> 418K
代理商： VNS3NV04
17/21
VNN3NV04 / VNS3NV04 / VND3NV04 / VND3NV04-1
1
SOT-223 TAPE AND REEL SHIPMENT (suffix “13TR”)
REEL DIMENSIONS
Base Q.ty
Bulk Q.ty
A (max)
B (min)
C (
± 0.2)
F
G (+ 2 / -0)
N (min)
T (max)
1000
1000
330
1.5
13
20.2
12.4
60
18.4
TAPE DIMENSIONS
According to Electronic Industries Association
(EIA) Standard 481 rev. A, Feb. 1986
All dimensions are in mm.
Tape width
Tape Hole Spacing
Component Spacing
Hole Diameter
Hole Diameter
Hole Position
Compartment Depth
Hole Spacing
W
12
4
8
1.5
1.5
5.5
4.5
2
P0 (± 0.1)
P
D (± 0.1/-0)
D1 (min)
F (± 0.05)
K (max)
P1 (± 0.1)
Top
cover
tape
End
Start
No components
No components
Components
500mm min
500mm min
Empty components pockets
saled with cover tape.
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相關PDF資料
PDF描述
VND3NV04 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VND3NV04-1 “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
VV6411 XTAL MTL T/H HC49/U
VV6411C036 DUAL-MODE DIGITAL CAMERA CHIPSET
VV6500 DUAL-MODE DIGITAL CAMERA CHIPSET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
VNS3NV0413TR 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 40V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻（最大值）:85 mOhms 開啟時間（最大值）:400 us 關閉時間（最大值）:20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流（最大值）: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
VNS3NV04D 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04D13TR 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04D-E 功能描述:MOSFET N-Ch 45V 3.5A Omni RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
VNS3NV04DP-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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