參數(shù)資料
型號： VNI4140KTR
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 500; Vz (V): 14.9 to 15.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: DO-35
中文描述： 四高端智能功率固態(tài)繼電器
文件頁數(shù)： 6/23頁
文件大?。?/td> 508K
代理商： VNI4140KTR
Electrical characteristics
VNI4140K
6/23
3
Electrical characteristics
(10.5 V < V
CC
< 36 V; -25 °C < T
J
< 125 °C
;
unless otherwise specified)
Table 4.
Power section
Symbol
Parameter
Test condition
Min
Typ
Max
Unit
Vcc
Supply voltage
10.5
36
V
R
DS(ON)
On state resistance
I
OUT
= 0.5 A at T
J
= 25 °C
I
OUT
= 0.5 A
0.080
0.140
V
clamp
I
s
= 20mA
41
45
52
V
I
S
Supply current
All channel in OFF state
ON state with V
IN
=5 V
(T
J
= 125 °C)
250
2.4
4
μA
mA
V
OUT(OFF)
OFF state output
voltage
V
IN
= 0 V and I
OUT
=0 A
1
V
I
OUT(OFF)
OFF state output
current
V
IN
= V
OUT
= 0 V
0
5
μA
F
CP
Charge pump
frequency
Channel in ON state
(1)
1.
To cover EN55022 class A and class B normative
1450
kHz
Table 5.
Switching
( V
CC
= 24 V; -25 °C < T
J
< 125 °C, R
L
= 48
,
input rise time < 0.1 us)
Symbol
Parameter
Test condition
Min
Typ
Max
Unit
t
d
(ON)
t
r
Turn ON delay
20
μS
Rise time
10
μS
t
d
(OFF)
t
f
Turn OFF
30
μS
Fall time
8
μS
dV/dt
(ON)
Turn ON voltage slope
Turn OFF voltage
slope
3
V/μS
dV/dt
(off)
4
V/μS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN340SPTR-E Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 200; Vz (V): 6.26 to 6.53; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V): &#160; ESD (kV) min: -; Package: MPAK
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VN920-E HIGH SIDE DRIVER
VN920SO-E HIGH SIDE DRIVER
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參數(shù)描述
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