參數(shù)資料
型號： VND5E012AYTR-E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 模擬信號調(diào)理
英文描述： SPECIALTY ANALOG CIRCUIT, PDSO36
封裝： ROHS COMPLIANT, SSOP-36
文件頁數(shù)： 26/37頁
文件大?。?/td> 924K
代理商： VND5E012AYTR-E
Package information
VND5E012AY-E
Doc ID 13621 Rev 2
5
Package information
5.1
ECOPACK package
In order to meet environmental requirements, ST offers these devices in different grades of
ECOPACK packages, depending on their level of environmental compliance. ECOPACK
specifications, grade definitions and product status are available at: www.st.com.
ECOPACK is an ST trademark.
5.2
PowerSSO-36 mechanical data
Figure 39. PowerSSO-36 package dimensions
l
Table 16.
PowerSSO-36 mechanical data
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
2.15
-
2.47
A2
2.15
-
2.40
a1
0
-
0.075
b
0.18
-
0.36
c
0.23
-
0.32
D
10.10
-
10.50
E7.4
-
7.6
e-
0.5
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VNL5050S5-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO8
VNL5050N3TR-E POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO3
VO27.0000000M0000001 VCXO, CLOCK, 27 MHz, TTL OUTPUT
VP06DDC1R0N999 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
VP06DDC1R0N001 0.3 W, SMPS TRANSFORMER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
VND5E012MY-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E012MYTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBLE CH HI-SIDE DRVR W/ANALOG CRRNT SNSE RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AK-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025AKTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC DBL CH hi side drive RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
VND5E025ASTR-E 功能描述:功率驅(qū)動器IC Double CH High-Side 41V 25mOhm 60A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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