參數(shù)資料
型號： VN750B5TR-E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH SIDE DRIVER
中文描述： 高邊驅(qū)動器
文件頁數(shù)： 5/31頁
文件大小： 416K
代理商： VN750B5TR-E
5/31
VN750-E / VN750S-E / VN750PT-E / VN750B5-E
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Table 8. V
CC
- Output Diode
Symbol
Table 9. Status Pin
Table 10. Protections
(see note 1)
Note: 1. To ensure long term reliability under heavy overload or short circuit conditions, protection and related diagnostic signals must be
used together with a proper software strategy. If the device is subjected to abnormal conditions, this software must limit the duration
and number of activation cycles.
Table 11. Openload Detection
Note: (#) See relative diagram
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
F
Forward on Voltage
-I
OUT
=1.3A; T
j
=150°C
0.6
V
Symbol
V
STAT
I
LSTAT
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
(#)
(#)
Max
0.5
10
Unit
V
μ
A
Status Low Output Voltage I
STAT
=1.6mA
Status Leakage Current
Status Pin Input
Capacitance
Normal Operation; V
STAT
=5V
C
STAT
Normal Operation; V
STAT
=5V
100
pF
V
SCL
Status Clamp Voltage
I
STAT
=1mA
I
STAT
=-1mA
6
6.8
-0.7
8
V
V
Symbol
T
TSD
T
R
T
hyst
Parameter
Test Conditions
Min
150
135
7
Typ
175
Max
200
Unit
°C
°C
°C
Shut-down Temperature
Reset Temperature
Thermal Hysteresis
Status delay in overload
condition
15
t
SDL
T
j
>T
jsh
20
μ
s
I
lim
Current limitation
9V<V
CC
<36V
5V<V
CC
<36V
6
9
15
15
A
A
V
demag
Turn-off Output Clamp
Voltage
I
OUT
=2A; V
IN
=0V; L=6mH
V
CC
-41
V
CC
-48
V
CC
-55
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
OL
Openload ON State
Detection Threshold
Openload ON State
Detection Delay
Openload OFF State
Voltage Detection
Threshold
Openload Detection Delay
at Turn Off
V
IN
=5V
50
(#)
200
mA
t
DOL(on)
I
OUT
=0A
200
μ
s
V
OL
V
IN
=0V
1.5
(#)
3.5
V
t
DOL(off)
1000
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VN750-E HIGH SIDE DRIVER
VN750PT-E HIGH SIDE DRIVER
VN750PTTR-E HIGH SIDE DRIVER
VN750S-E HIGH SIDE DRIVER
VN750STR-E HIGH SIDE DRIVER
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參數(shù)描述
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VN750PEP13TR 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SIDE DRIVER
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