| 型號: | VN10K-TO18 |
| 廠商: | SEMELAB LTD |
| 元件分類: | JFETs |
| 英文描述: | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 中文描述: | 0.17 A, 60 V, 5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-18 |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大小: | 27K |
| 代理商: | VN10K-TO18 |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VN10KE | N-Channel Enhancement-Mode MOS Transistors |
| VN10LP | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
| VN1225CC | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
| VN1225CI | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
| VN1225CM | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VN10LDA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| VN10LDB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| VN10LDC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
| VN10LE | 功能描述:MOSFET 60V 5 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| VN10LE-2 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSPOWER TRANSISTOR |