- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359395 > VMB70-12F (ADVANCED SEMICONDUCTOR INC) NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5V)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | VMB70-12F |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5V)) |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.380 INCH, FM-4 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 17K |
| 代理商： | VMB70-12F |
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 50 mA
BV
CES
I
C
= 100 mA
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CE
= 12.5 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 5.0 A
NONE
TEST CONDITIONS
36
36
18
3.5
10
V
V
V
V
mA
---
10
---
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0
MHz
270
pF
P
G
η
C
V
CE
= 12.5 V P
OUT
= 70 W f = 88 MHz
7.0
60
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
VMB70-12F
DESCRIPTION:
The
ASI VMB70-12F
is Designed for
FEATURES:
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
12 A
V
CBO
36 V
V
CEO
18 V
V
EBO
3.5 V
P
DISS
183 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
T
J
T
STG
-65
O
C to +150
O
C
θ
JC
1.05
O
C/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
ORDER CODE: ASI10745
MINIMUM
inches / mm
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.385 / 9.78
.980 / 24.89
H
.160 / 4.06
.180 / 4.57
.280 / 7.11
DIM
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.105 / 2.67
.085 / 2.16
I
J
.240 / 6.10
.255 / 6.48
.785 / 19.94
F
B
G
.125
.125 NOM.
FULL R
D
E
C
H
.112 x 45°
A
I
J
.004 / 0.10
.006 / 0.15
.720 / 18.29
.730 / 18.54
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VMB70-12S | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5 V)) |
| VMB80-28F | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:9.0 A,Vcbo: 65 V,Vceo: 36 V,Vebo: 4.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:9.0 A,Vcbo: 65 V,Vceo: 36 V,Vebo: 4.0 V)) |
| VMB80-28S | NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:9.0 A,Vcbo: 65 V,Vceo: 36 V,Vebo: 4.0 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:9.0 A,Vcbo: 65 V,Vceo: 36 V,Vebo: 4.0 V)) |
| VME1210AP-45 | 80x86 Bus Arbiter |
| VME1210AJP-45 | 80x86 Bus Arbiter |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| VMB70-12S | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VMB80-28F | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VMB80-28S | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| VMBA100-1 | 功能描述:射頻適配器 - 系列之內(nèi) Smb Bulkhead Jack To Jack Adaptor RoHS:否 制造商:Amphenol Connex 射頻系列:SMA 側1性別:Jack (Female) 側1極性:Normal 側2性別:Jack (Female) 側2極性:Normal 阻抗:50 Ohms 主體類型:Bulkhead 適配器類型:Straight 頻率范圍:DC to 18 GHz 觸點電鍍:Gold 外殼電鍍:Gold 主體材料:Brass |
| VMBA1D0B-AMC00-000 | 制造商:Carling Technologies 功能描述:V-SERIES ROCKER SWITCH - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。