參數(shù)資料
型號(hào)： VMB70-12F
廠(chǎng)商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5V))
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： 0.380 INCH, FM-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 17K
代理商： VMB70-12F
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
REV. A
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004 1/1
Specifications are subject to change without notice.
CHARACTERISTICS
T
C
= 25
O
C
SYMBOL
BV
CBO
I
C
= 50 mA
BV
CES
I
C
= 100 mA
BV
CEO
I
C
= 50 mA
BV
EBO
I
E
= 10 mA
I
CES
V
CE
= 12.5 V
h
FE
V
CE
= 5.0 V I
C
= 5.0 A
NONE
TEST CONDITIONS
36
36
18
3.5
10
V
V
V
V
mA
---
10
---
C
OB
V
CB
= 12.5 V f = 1.0
MHz
270
pF
P
G
η
C
V
CE
= 12.5 V P
OUT
= 70 W f = 88 MHz
7.0
60
dB
%
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
VMB70-12F
DESCRIPTION:
The
ASI VMB70-12F
is Designed for
FEATURES:
Omnigold
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
12 A
V
CBO
36 V
V
CEO
18 V
V
EBO
3.5 V
P
DISS
183 W @ T
C
= 25
O
C
-65
O
C to +200
O
C
T
J
T
STG
-65
O
C to +150
O
C
θ
JC
1.05
O
C/W
PACKAGE STYLE .380 4L FLG
ORDER CODE: ASI10745
MINIMUM
inches / mm
.970 / 24.64
B
C
D
E
F
G
A
MAXIMUM
inches / mm
.385 / 9.78
.980 / 24.89
H
.160 / 4.06
.180 / 4.57
.280 / 7.11
DIM
.220 / 5.59
.230 / 5.84
.105 / 2.67
.085 / 2.16
I
J
.240 / 6.10
.255 / 6.48
.785 / 19.94
F
B
G
.125
.125 NOM.
FULL R
D
E
C
H
.112 x 45°
A
I
J
.004 / 0.10
.006 / 0.15
.720 / 18.29
.730 / 18.54
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PDF描述
VMB70-12S NPN Silicon RF Power Transistor(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5 V)(NPN 硅型射頻功率晶體管(Ic:12 A,Vcbo: 36 V,Vceo: 18 V,Vebo: 3.5 V))
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VMBA100-1 功能描述:射頻適配器 - 系列之內(nèi) Smb Bulkhead Jack To Jack Adaptor RoHS:否 制造商:Amphenol Connex 射頻系列:SMA 側(cè)1性別:Jack (Female) 側(cè)1極性:Normal 側(cè)2性別:Jack (Female) 側(cè)2極性:Normal 阻抗:50 Ohms 主體類(lèi)型:Bulkhead 適配器類(lèi)型:Straight 頻率范圍:DC to 18 GHz 觸點(diǎn)電鍍:Gold 外殼電鍍:Gold 主體材料:Brass
VMBA1D0B-AMC00-000 制造商:Carling Technologies 功能描述:V-SERIES ROCKER SWITCH - Bulk
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