參數(shù)資料
型號(hào)： VG26S16405DJ-5
英文描述： x4 EDO Page Mode DRAM
中文描述： x4 EDO公司頁(yè)面模式的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 1/27頁(yè)
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代理商： VG26S16405DJ-5
Document:1G5-0124
Rev.1
Page 1
VIS
VG26(V)(S)17405
4,194,304 x 4 - Bit
CMOS Dynamic RAM
Description
The device CMOS Dynamic RAM organized as 4,194,304 words x 4 bits with extended data out access
mode. It is fabricated with an advanced submicron CMOS technology and designed to operate from a single
5V only or 3.3V oniy power supply. Low voltage operation is more suitable to be used on battery backup,
portable electronic application. A new refresh feature called “self-refresh” is supported and very slow CBR
cycles are being performed. lt is packaged in JEDEC standard 26/24-pin plastic SOJ or TSOP(II).
Features
Single 5V(
%) or 3.3V(
%) only power supply
High speed t
RAC
acess time: 50/60ns
Low power dissipation
- Active wode : 5V version 660/605 mW (Mas)
3.3V version 432/396 mW (Mas)
- Standby mode: 5V version 1.375 mW (Mas)
3.3V version 0.54 mW (Mas)
Extended - data - out(EDO) page mode access
I/O level: TTL compatible (Vcc = 5V)
LVTTL compatible (Vcc = 3.3V)
2048 refresh cycle in 32 ms(Std.) or 128 ms(S-version)
4 refresh modesh:
- RAS only refresh
- CAS - before - RAS refresh
- Hidden refresh
- Self-refresh(S-version)
10
±
10
±
相關(guān)PDF資料
PDF描述
VG26S16405DJ-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26S16405DT-5 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26S16405DT-6 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26S16405EJ-5 x4 EDO Page Mode DRAM
VG26S16405EJ-6 x4 EDO Page Mode DRAM
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參數(shù)描述
VG26S16405DJ-6 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
VG26S16405DT-5 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x4 EDO Page Mode DRAM
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