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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V58C2256404SBJ5 |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, 0.65 ns, PBGA60 |
| 封裝： | LEAD FREE, MO-233, FBGA-60 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 53/62頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 983K |
| 代理商： | V58C2256404SBJ5 |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V58C2256(804/404/164)SB
V58C2256(804/404/164)SB Rev. 1.0 November 2003
Figure 45 - WRITE - WITHOUT AUTO PRECHARGE
CK
/CK
COMMAND
NOP
WRITE
CKE
Col
n
RA
A10
BA0, BA1
Bank
x
*Bank
x
BA
DON'T CARE
DI
n = Data In for column n
Burst Length = 4 in the case shown
3 subsequent elements of Data In are applied in the programmed order following DI
n
DIS AP = Disable Autoprecharge
* = "Don't Care", if A10 is HIGH at this point
PRE = PRECHARGE, ACT = ACTIVE, RA = Row Address, BA = Bank Address
NOP commands are shown for ease of illustration; other valid commands may be possible at these times
NOP
PRE
NOP
VALID
ACT
NOP
DIS AP
ONE BANK
ALL BANKS
tCK
tCH
tCL
tIS
tIH
tIS
tIH
tRP
tIH
tIS tIH
RA
x4:A0-A9
x8:A0-A8
x16:A0-A7
x4:A11
x8:A9, A11
x16:A8, A9, A11
DQ
DM
DQS
DI
n
t
tDQSS
t
Case 1:
tDQSS = min
Case 2:
tDQSS = max
DQ
DM
DQS
DI
n
t
tWR
tDQSS
t
WPST
DQSH
DQSL
tWPRES
WPST
DQSH
DQSL
WPRE
WPRES
tWPRE
tDSS
tDSH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| V58C2256404SHUT6E | 64M X 4 DDR DRAM, PDSO66 |
| V58C2256804SHLJ5E | 32M X 8 DDR DRAM, PBGA60 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| V58C2256804SAT-5 | 制造商:Mosel Vitelic Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 8, 66 Pin, Plastic, TSSOP |
| V58C265164S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:64 Mbit DDR SDRAM 2.5 VOLT 4M X 16 |
| V58C265404S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 16M X 4 DDR SDRAM 4 BANKS X 4Mbit X 4 |
| V58C265804S | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 8M X 8 DDR SDRAM 4 BANKS X 2Mbit X 8 |
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