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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3128404VBLE7PC |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 52/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 693K |
| 代理商： | V54C3128404VBLE7PC |
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ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB
7
V54C3128(16/80/40)4VB Rev. 1.2 January 2005
Capacitance*
TA = 0 to 70°C, VCC = 3.3 V ± 0.3 V, f = 1 Mhz
*
Note:Capacitance is sampled and not 100% tested.
Absolute Maximum Ratings*
Operating temperature range .................. 0 to 70 °C
Storage temperature range ................-55 to 150 °C
Input/output voltage.................. -0.3 to (VCC+0.3) V
Power supply voltage .......................... -0.3 to 4.6 V
Power dissipation ..............................................1 W
Data out current (short circuit).......................50 mA
*Note:
Stresses above those listed under “Absolute Maximum
Ratings” may cause permanent damage of the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Symbol
Parameter
Max. Unit
CI1
Input Capacitance (A0 to A11)
3.8
pF
CI2
Input Capacitance
RAS, CAS, WE, CS, CLK, CKE, DQM
3.8
pF
CIO
Output Capacitance (I/O)
6
pF
CCLK
Input Capacitance (CLK)
3.5
pF
Block Diagram
Row decoder
Memory array
Bank 0
4096 x 512
x 16 bit
C
o
lu
mn
dec
oder
S
ens
e
ampl
if
ie
r&
I(
O
)bus
Row decoder
Memory array
Bank 1
4096 x 512
x16 bit
C
o
lu
mn
d
e
c
o
der
S
e
ns
e
ampl
if
ie
r&
I(
O
)
bus
Row decoder
Memory array
Bank 2
4096 x 512
x 16 bit
Co
lu
m
n
d
e
c
o
d
e
r
S
ens
e
ampl
if
ie
r&
I(
O
)bus
Row decoder
Memory array
Bank 3
4096 x 512
x 16 bit
Co
lu
m
n
d
e
c
o
d
e
r
S
ens
e
ampl
if
ie
r&
I
(O
)bus
Input buffer
Output buffer
I/O1-I/O16
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A11, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
CL
K
CK
E
CS
RA
S
CA
S
WE
LD
Q
M
Row Addresses
Column Addresses
UDQM
x16 Configuration
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3128404VBLF8PC | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C365804VCT8L | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| V55C2256164VGLK-10H | SYNCHRONOUS DRAM, PBGA54 |
| V585ME07 | VCO, 1100 MHz - 2100 MHz |
| V585ME14 | VCO, 1470 MHz - 1875 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3128404VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128804VAT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
| V54C3128804VAT7 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
| V54C3128804VAT8 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:HIGH PERFORMANCE 143/133/125MHz 3.3 VOLT 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM 4 BANKS X 4Mbit X 8 |
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