參數(shù)資料
型號(hào)： V54C3128164VBS8PC
廠商： PROMOS TECHNOLOGIES INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60
封裝： MO-210, FBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 19/56頁(yè)
文件大小： 734K
代理商： V54C3128164VBS8PC
26
V54C3128(16/80/40)4VB Rev.1.5 March 2006
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB
6.2 Write Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
7. Burst Write with Auto-Precharge
Burst Length = 2, CAS latency = 2, 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
READ B
NOP
tCK2, I/O’s
CAS latency = 2
DIN A0
tCK3, I/O’s
CAS latency = 3
DIN A0
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B3
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
don’t care
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
Input data must be removed from the I/O’s at least one clock
cycle before the Read dataAPpears on the outputs to avoid
data contention.
COMMAND
NOP
WRITE A
Auto-Precharge
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
NOP
BANK A
ACTIVE
NOP
DIN A0
DIN A1
I/O’s
Begin Autoprecharge
Bank can be reactivated after trp
*
t WR
tRP
NOP
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V54C3128804VAS7PC 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60
V54C3128804VCLC7E 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
V54C3128804VCT7PCE 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
V54C316162VAT10 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO50
V54C3256164VAT6 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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V54C3128164VT 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4
V54C3128404VBGA 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE
V54C3128404VS 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4
V54C3128404VT 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4
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