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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | V54C3128164VBI6 |
| 廠商： | PROMOS TECHNOLOGIES INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 16/56頁 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | V54C3128164VBI6 |
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V54C3128(16/80/40)4VB Rev. 1.5 March 2006
ProMOS TECHNOLOGIES
V54C3128(16/80/40)4VB
3. Read Interrupted by a Read
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
4.1 Read to Write Interval
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)
COMMAND
READ A
READ B
NOP
t
CK2, I/O’s
CAS latency = 2
t
CK3, I/O’s
CAS latency = 3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
DOUT B0
DOUT B1
DOUT B2
DOUT B3
DOUT A0
tCCD
COMMAND
NOP
READ A
NOP
WRITE B
NOP
DQM
DOUT A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
Must be Hi-Z before
the Write Command
I/O’s
Minimum delay between the Read and Write Commands = 4+1 = 5 cycles
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
tDQZ
tDQW
: “H” or “L”
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBS8PC | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C3128804VAS7PC | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| V54C3128804VCLC7E | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| V54C3128804VCT7PCE | 16M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| V54C316162VAT10 | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C3128164VBI7 | 制造商:PROMOS 功能描述: 制造商:ProMOS Technologies Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3128164VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128164VT | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
| V54C3128404VBGA | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, BGA PACKAGE |
| V54C3128404VS | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC PACKAGE 8M X 16, 16M X 8, 32M X 4 |
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