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VLS252008ET-3R3M

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 操作
  • VLS252008ET-3R3M
    VLS252008ET-3R3M

    VLS252008ET-3R3M

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 14435

  • TDK CORPO

  • 剪切帶(CT

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • VLS252008ET-3R3M
    VLS252008ET-3R3M

    VLS252008ET-3R3M

  • 汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
    汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人:陳先生

    電話:0754-84492320

    地址:廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁

  • 300000

  • TDK

  • SMD

  • 2020+

  • -
  • 進口全新原裝正品

  • VLS252008ET-3R3M
    VLS252008ET-3R3M

    VLS252008ET-3R3M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • VLS252008ET-3R3M
    VLS252008ET-3R3M

    VLS252008ET-3R3M

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:雷小姐

    電話:0755-2391507123915070(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務)

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 88660

  • TDK/東電化

  • SMD

  • 85220

  • -
  • ★★★真實庫存,假一賠十,原廠授權★★★

  • VLS252008ET-3R3M
    VLS252008ET-3R3M

    VLS252008ET-3R3M

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
VLS252008ET-3R3M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 3.3UH 20% SMD
VLS252008ET-3R3M 技術參數(shù)
  • VLS252008ET-2R2M-CA 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 840mA 290 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:840mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):290 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-2R2M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 840mA 290 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:840mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):290 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-1R5N-CA 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 910mA 248 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:910mA 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):248 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-1R5N 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 910mA 248 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:910mA 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):248 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252008ET-1R0N-CA 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 970mA 219 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:970mA 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):219 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標準包裝:1 VLS252010CX-150M VLS252010CX-1R0M VLS252010CX-1R5M VLS252010CX-220M VLS252010CX-2R2M VLS252010CX-3R3M VLS252010CX-4R7M VLS252010CX-6R8M VLS252010CX-R47M VLS252010CX-R68M VLS252010ET-100M VLS252010ET-100M-CA VLS252010ET-1R0N VLS252010ET-1R0N-CA VLS252010ET-1R5N VLS252010ET-1R5N-CA VLS252010ET-2R2M VLS252010ET-2R2M-CA
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