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VLS252008ET-1R5N-CA

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • VLS252008ET-1R5N-CA
    VLS252008ET-1R5N-CA

    VLS252008ET-1R5N-CA

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
VLS252008ET-1R5N-CA PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 1.5μH Shielded Wirewound Inductor 910mA 248 mOhm Max Nonstandard
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • VLS-E-CA
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 1.5μH
  • 容差
  • ±30%
  • 額定電流
  • 910mA
  • 電流 - 飽和值
  • 1A
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 248 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級(jí)
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 105°C
  • 頻率 - 測(cè)試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 非標(biāo)準(zhǔn)
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.031"(0.80mm)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
VLS252008ET-1R5N-CA 技術(shù)參數(shù)
  • VLS252008ET-1R5N 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 910mA 248 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±30% 額定電流:910mA 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):248 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLS252008ET-1R0N-CA 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 970mA 219 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:970mA 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):219 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLS252008ET-1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 970mA 219 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:970mA 電流 - 飽和值:1.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):219 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLS252008ET-100M-CA 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.232 Ohm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E-CA 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:430mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.232 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLS252008ET-100M 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 410mA 1.232 Ohm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLS-E 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:410mA 電流 - 飽和值:430mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):1.232 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.098" 長(zhǎng) x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.031"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLS252008ET-R47N-CA VLS252008ET-R68N VLS252010CX-100M VLS252010CX-150M VLS252010CX-1R0M VLS252010CX-1R5M VLS252010CX-220M VLS252010CX-2R2M VLS252010CX-3R3M VLS252010CX-4R7M VLS252010CX-6R8M VLS252010CX-R47M VLS252010CX-R68M VLS252010ET-100M VLS252010ET-100M-CA VLS252010ET-1R0N VLS252010ET-1R0N-CA VLS252010ET-1R5N
配單專家

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