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參數資料
| 型號： | UPD4564163 |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| 中文描述： | 6400位同步DRAM 4銀行，LVTTL |
| 文件頁數： | 32/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | UPD4564163 |
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Data Sheet E0149N10
32
μ
PD4564441, 4564841, 4564163
12.2 Precharge Termination
12.2.1 Precharge Termination in READ Cycle
During a read cycle, the burst read operation is terminated by a precharge command.
When the precharge command is issued, the burst read operation is terminated and precharge starts.
The same bank can be activated again after t
RP
from the precharge command.
To issue a precharge command, t
RAS
must be satisfied.
When /CAS latency is 2, the read data will remain valid until one clock after the precharge command.
Read
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X, /CAS latency = 2
Q1
DQ
Command
Q2
Q3
Q4
ACT
t
RP
PRE
Hi-Z
(t
RAS
must be satisfied)
When /CAS latency is 3, the read data will remain valid until two clocks after the precharge command.
Read
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length = X, /CAS latency = 3
DQ
Command
Q1
Q2
Q3
ACT
t
RP
PRE
Hi-Z
T8
Q4
(t
RAS
must be satisfied)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UPD4564163G5 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564441 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD4564841 | 64M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL |
| UPD485505 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
| UPD485505G-25 | LINE BUFFER 5K-WORD BY 8-BIT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| UPD4564163G5-A10B-9JF | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:SDRAM, 4M x 16, 54 Pin, Plastic, TSOP |
| UPD4564323G5-A10BL-9HJ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| UPD45D128442G5C759LG | 制造商:NEC 功能描述:* |
| UPD4701AC-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| UPD4702C-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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