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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | UPD44164182F5-E40-EQ1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 18M-BIT DDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
| 中文描述： | 1800萬位的SRAM 2條DDRII字爆發(fā)運(yùn)作 |
| 文件頁數(shù)： | 9/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | UPD44164182F5-E40-EQ1 |
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9
Data Sheet M15821EJ7V2DS
μ
PD44164082, 44164182, 44164362
Byte Write Operation
[
μ
PD44164082]
Operation
K
/K
/NW0
/NW1
Write DQ0 to DQ7
L
→
H
–
–
0
0
L
→
H
–
0
0
Write DQ0 to DQ3
L
→
H
–
0
1
L
→
H
–
0
1
Write DQ4 to DQ7
L
→
H
–
1
0
L
→
H
–
1
0
Write nothing
L
→
H
–
1
1
L
→
H
1
1
Remark
H : High level, L : Low level,
→
: rising edge.
[
μ
PD44164182]
Operation
K
/K
/BW0
/BW1
Write DQ0 to DQ17
L
→
H
–
–
0
0
L
→
H
–
0
0
Write DQ0 to DQ8
L
→
H
–
0
1
L
→
H
–
0
1
Write DQ9 to DQ17
L
→
H
–
1
0
L
→
H
–
1
0
Write nothing
L
→
H
–
1
1
L
→
H
1
1
Remark
H : High level, L : Low level,
→
: rising edge.
[
μ
PD44164362]
Operation
K
/K
/BW0
/BW1
/BW2
/BW3
Write DQ0 to DQ35
L
→
H
–
–
0
0
0
0
L
→
H
–
0
0
0
0
Write DQ0 to DQ8
L
→
H
–
0
1
1
1
L
→
H
–
0
1
1
1
Write DQ9 to DQ17
L
→
H
–
1
0
1
1
L
→
H
–
1
0
1
1
Write DQ18 to DQ26
L
→
H
–
1
1
0
1
L
→
H
–
1
1
0
1
Write DQ27 to DQ35
L
→
H
–
1
1
1
0
L
→
H
–
1
1
1
0
Write nothing
L
→
H
–
1
1
1
1
L
→
H
1
1
1
1
Remark
H : High level, L : Low level,
→
: rising edge.
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