參數(shù)資料
型號(hào)： UPC2712T-E3
廠商： NEC Corp.
英文描述： 2.6 GHz WIDE BAND AMPLIFIER SILICON BIPOLAR MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
中文描述： 2.6千兆赫寬帶放大器硅雙極單片集成電路
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
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代理商： UPC2712T-E3
2
μ
PC2712T
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Unless otherwise specified, T
A
= +25 °C)
Supply Voltage
Total Circuit Current
Power Dissipation
Operating Ambient Temperature
Storage Temperature
Input Power
*
Mounted on 50
×
50
×
1.6 mm double sided copper clad epoxy glass PWB (T
A
= +85 °C)
V
CC
I
CC
P
D
T
A
T
stg
P
in
6
V
30
280
*
mA
mW
°C
°C
dBm
40 to +85
55 to +150
+10
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Supply Voltage
V
CC
4.5
5.0
5.5
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C, V
CC
= 5.0 V, Z
S
= Z
L
= 50
)
PARAMETERS
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Circuit Current
I
CC
9
12
15
mA
No Signals
Power Gain
G
P
18
20
23.5
dB
f = 1 GHz
Maximum Output Level
P
O(sat)
0
+3
—
dBm
f = 1 GHz, P
in
=
2 dBm
Noise Figure
NF
—
4.5
6
dB
f = 1 GHz
Upper Limit Operating Frequency
f
u
2.2
2.6
—
GHz
3 dB down below flat gain at
f = 0.1 GHz
Isolation
ISL
28
33
—
dB
f = 1 GHz
Input Return Loss
RL
in
9
12
—
dB
f = 1 GHz
Output Return Loss
RL
out
10
13
—
dB
f = 1 GHz
Gain Flatness
G
P
—
±0.8
—
dB
f = 0.1 to 2.0 GHz
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