參數(shù)資料
型號： UPA861TD-T3
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅射頻雙晶體管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 129K
代理商： UPA861TD-T3
UPA861TD
Q1
Q2
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
DC VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
DC VOLTAGE vs.
COLLECTOR CURRENT
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
G
Γ
Collector Current, I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Frequency, f (GHz)
Frequency, f (GHz)
I
|
S
2
|
2
M
M
I
|
S
2
|
2
M
M
TYPICAL CHARACTERISTICS, cont.
(T
A
= 25
°
C, unless otherwise specified)
G
Γ
Collector Current, I
C
(mA)
1 000
100
10
1
0.1
10
100
V
CE
= 1 V
1 000
100
10
1
0.1
10
100
V
CE
= 1 V
16
12
14
10
6
2
8
4
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
25
20
15
10
5
0
1
10
100
V
CE
= 1 V
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 1 V
I
C
= 20 mA
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S
21e
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA895TD-T3 NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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