參數(shù)資料
型號： UPA801TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 76K
代理商： UPA801TF
μ
PA801TC
Data Sheet P14548EJ1V1DS00
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
S
2
2
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
0
10
20
0
10
100
1 000
0.1
1
10
100
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
14.00
1
10
100
0
100
200
230
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
20
18
0
1
2
3
4
5
6
1.00
10.00
1
10
100
0.5
1.0
V
CE
= 3 V
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
2 Elements in total
Free Air
Per
Element
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA801T NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA801 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPA801TF-T1 BJT
UPA801TC-T1 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD
UPC1251GR(5)-9LG-E1-A BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT SINGLE POWER SUPPLY DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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UPA802T 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
UPA802T_98 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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