參數(shù)資料
型號： UPA672T
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET ARRAY FOR SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管陣列開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： UPA672T
μ
PA672T
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Cut-off Current
I
DSS
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
10
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
7.0 V, V
DS
= 0
±
5.0
μ
A
Gate Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 3.0 V, I
D
= 1.0
μ
A
0.7
1.0
1.5
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= 3.0 V, I
D
= 10 mA
20
mS
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 10 mA
20
40
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)2
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 10 mA
15
20
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 3.0 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz
6
pF
Output Capacitance
C
oss
8
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
1.2
pF
Turn-On Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 3 V, I
D
= 20 mA, V
GS(on)
= 3 V,
R
G
= 10
, R
L
= 120
9
ns
Rise Time
t
r
50
ns
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
20
ns
Fall Time
t
f
40
ns
SWITCHING TIME MEASUREMENT CIRCUIT AND CONDITIONS
DUT
PG.
R
G
V
GS
0
τ
τ
= 1 s
Duty Cycle
≤
1 %
R
L
V
DD
V
GS
I
D
V
GS(on)
10 %
90 %
90 %
90 %
10 %
10 %
I
D
t
d(on)
t
on
t
off
t
r
t
d(off)
t
f
Gate
voltage
waveform
Drain
current
waveform
0
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
UPA678TB P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA80C TRANSISTOR ARRAY
UPA810T NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA810T-A NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
UPA810T-T1 NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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