參數(shù)資料
型號： UPA2510TM
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
中文描述： P溝道MOS場效應(yīng)晶體管開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： UPA2510TM
Data Sheet G16683EJ1V0DS
3
μ
PA2510
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
d
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
P
T
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
25
50
75
100
125
150
175
Mounted on FR-4 board of
25 cm
2
x 1.6 mm, PW
≤
10 sec
T
A
- Ambient Temperature -
°
C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-1
-10
-100
30 ms
10 ms
I
D(pulse)
PW = 1 ms
R
DS(on)
Limited
(at V
GS
=
10 V)
10 s
Single pulse
Mounted on FR-4 board of 25 cm
2
x 1.6 mm
I
D(DC)
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
°
C
0.1
1 m
1
10
100
1000
Single pulse
Mounted on FR-4 board of 25 cm
2
x 1.6 mm
PW - Pulse Width - s
10 m
100 m
1
10
100
1000
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PDF描述
UPA2510 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA2650T1E MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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UPA2520T1H-T2-AT 功能描述:MOSFET N-CH 30V VSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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UPA2550T1H-T1-AT 功能描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
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